FJN3303FBU
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、最大直流集电极电流 3 A、最小直流电流增益(hfe) 14、耗散功率(Pd) 1.1 W,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、最大直流集电极电流 3 A、最小直流电流增益(hfe) 14、耗散功率(Pd) 1.1 W,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT