ON Semiconductor / Fairchild
FJN3303FBU
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 3 A、最小直流电流增益（hfe） 14、耗散功率（Pd） 1.1 W，采用 TO-92-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- FJN3303F
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
7 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 400 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 9 V
- 最大直流集电极电流
- 3 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 14
- 耗散功率（Pd）
- 1.1 W
- 单件重量
- 0.006314 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。