FGD5T120SH
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 2.9 V、最大栅射电压 25 V、25°C 时连续集电极电流 10 A，采用 DPAK-3 封装。
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FGD5T120SH
onsemi
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 2.9 V、最大栅射电压 - 25 V, 25 V、25°C 时连续集电极电流 10 A，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
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