FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 170 A、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、栅源阈值电压（Vgs th） 5.15 V。
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