FF2MR12W3M1HB11BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C、耗散功率(Pd) 20 mW、组装国家或地区 德国。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules技术资料参考
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Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 175 C、耗散功率(Pd) 20 mW、组装国家或地区 德国。
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