FF11MR12W2M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 100 A、漏源导通电阻（Rds On） 11.3 mOhms，采用 92 mm x 20 mm x 30 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料