FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Half-Bridge Module、栅源电压(Vgs) - 10 V, + 20 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 AT。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules技术资料参考
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Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Half-Bridge Module、栅源电压(Vgs) - 10 V, + 20 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 AT。
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