F3L420R12W4H7H11BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 Modules、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 1.65 V、栅射漏电流 100 nA、耗散功率(Pd) 20 mW。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT Modules技术资料参考
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Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 Modules、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 1.65 V、栅射漏电流 100 nA、耗散功率(Pd) 20 mW。
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