EFC2J013NUZTDG
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 Dual N-Channel MOSFET、晶体管极性 N-Channel、栅源阈值电压（Vgs th） 400 mV、栅源电压（Vgs） 8 V，采用 WLCSP-6 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| EFC6604R-TR | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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EFC2J013NUZTDG
onsemi
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 Dual N-Channel MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 12 V、连续漏极电流（Id） 17 A，采用 WLCSP-6 封装。
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