ON Semiconductor
EFC2J013NUZTDG
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 Dual N-Channel MOSFET、晶体管极性 N-Channel、栅源阈值电压（Vgs th） 400 mV、栅源电压（Vgs） 8 V，采用 WLCSP-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- EFC2J013NUZ
- 封装
- WLCSP-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 2 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 400 mV
- 栅源电压（Vgs）
- 8 V
- 栅极电荷（Qg）
- 37 nC
- 最大工作温度
- + 150 C
- 耗散功率（Pd）
- 1.8 W
- 配置
- Dual
- 通道模式
- Depletion
- 晶体管类型
- Dual N-Channel MOSFET
- 下降时间
- 73 us
展开更多参数（3 项）
- 上升时间
- 26 us
- 典型关断延迟时间
- 130 us
- 典型导通延迟时间
- 11 us
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。