CE3520K3
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、单件重量 0.000581 oz。
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CE3520K3-C1
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > 射频结型场效应晶体管CE3521M4
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、单件重量 0.000160 oz。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管CE3521M4-C2
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 11.9 dB、漏源击穿电压（Vds） 3 V、栅源击穿电压（Vgs） - 3 V，采用 minimold-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > 射频结型场效应晶体管XC6203E352MR-G
Torex Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.5 V、输出电流 400 mA、输出类型 Fixed、类型 Positive Voltage Regulator、输出数 1 Output、静态电流 8 uA，采用 SOT-23-3 封装。
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