DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Modules、正向电压（Vf） 4.2 V、反向电压（Vr） 1.2 kV、栅源电压（Vgs） - 7 V to + 20 V、原产国家或地区 AT。
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技术资料参考
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