Infineon Technologies
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Modules、正向电压（Vf） 4.2 V、反向电压（Vr） 1.2 kV、栅源电压（Vgs） - 7 V to + 20 V、原产国家或地区 AT。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 半导体器件
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
18 项参数- 产品
- MOSFET Modules
- 技术
- Si
- 正向电压（Vf）
- 4.2 V
- 反向电压（Vr）
- 1.2 kV
- 栅源电压（Vgs）
- - 7 V to + 20 V
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 9 ns
- 连续漏极电流（Id）
- 50 A
- 耗散功率（Pd）
- 20 mW
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 24 mOhms
- 上升时间
- 18 ns
- 商品名称
- EasyPACK
展开更多参数（6 项）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 典型关断延迟时间
- 52 ns
- 典型导通延迟时间
- 27 ns
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.15 V
- 型号别名
- DF17MR12W1M1HF_B86 SP006008193
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。