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3 条型号记录

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CGHV60075D5

Wolfspeed / Cree

该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作频率 6 GHz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 150 V,采用 Die 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > 射频结型场效应晶体管
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CGHV60075D5

MACOM

主要参数包括原产国家或地区 美国。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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CGHV60075D5-GP4

MACOM

该型号为氮化镓场效应晶体管,主要参数包括最大工作频率 6 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 150 V,采用 Die 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管
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