CE7613M4
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 Si、晶体管类型 pHEMT、增益 14.1 dB、漏源击穿电压（Vds） 2 V、栅源击穿电压（Vgs） - 400 mV，采用 minimold-4 封装。
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CE7613M4-C2
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 Si、增益 14.1 dB、漏源击穿电压（Vds） 2 V、栅源击穿电压（Vgs） - 400 mV、连续漏极电流（Id） 10 mA，采用 minimold-4 封装。
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