CE3521M4
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、单件重量 0.000160 oz。
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CE3521M4-C2
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 11.9 dB、漏源击穿电压（Vds） 3 V、栅源击穿电压（Vgs） - 3 V，采用 minimold-4 封装。
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