CE3512K2
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、漏源击穿电压（Vds） 4 V、连续漏极电流（Id） 10 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C。
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CE3512K2-C1
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000581 oz。
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