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2 条型号记录

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CAS300M12BM2

Wolfspeed / Cree

该型号为半导体器件,主要参数包括类型 H-Bridge MOSFET Module、产品 Power Semiconductor Modules、配置 Half Bridge、连续漏极电流(Id) 300 A、漏源导通电阻(Rds On) 5 mOhms、漏源击穿电压(Vds) 1.2 kV,采用 Module 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules
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CAS300M12BM2

Wolfspeed

该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Half Bridge、产品 SiC Modules、反向电压(Vr) 1.2 kV、栅源电压(Vgs) - 4 V, + 15 V、最小工作温度 - 40 C,采用 Module 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules
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