Wolfspeed / Cree
CAS300M12BM2
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 H-Bridge MOSFET Module、产品 Power Semiconductor Modules、配置 Half Bridge、连续漏极电流（Id） 300 A、漏源导通电阻（Rds On） 5 mOhms、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV，采用 Module 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Cree, Inc.
- 品牌
- Wolfspeed / Cree
- 产品类别
- 半导体器件
- 封装
- Module
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
6 项参数- 产品
- Power Semiconductor Modules
- 类型
- H-Bridge MOSFET Module
- 配置
- Half Bridge
- 连续漏极电流（Id）
- 300 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 5 mOhms
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。