CA76
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier技术资料参考
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MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 600 V、连续漏极电流(Id) 76 A、漏源导通电阻(Rds On) 28 mOhms、栅源电压(Vgs) 30 V,采用 TO-3PN-3 封装。
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