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芯片技术资料

3 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

CA76

MACOM

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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CA76-1

MACOM

主要参数包括技术 Si。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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FCA76N60N

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 600 V、连续漏极电流(Id) 76 A、漏源导通电阻(Rds On) 28 mOhms、栅源电压(Vgs) 30 V,采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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