ON Semiconductor / Fairchild
FCA76N60N
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 76 A、漏源导通电阻（Rds On） 28 mOhms、栅源电压（Vgs） 30 V，采用 TO-3PN-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- FCA76N60N
- 封装
- TO-3PN-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 600 V
- 连续漏极电流（Id）
- 76 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 28 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- 30 V
- 最大工作温度
- + 150 C
- 耗散功率（Pd）
- 543 W
- 商品名称
- SupreMOS
- 高度
- 20.1 mm
- 长度
- 16.2 mm
- 宽度
- 5 mm
展开更多参数（2 项）
- 正向跨导（最小值）
- 88 S
- 单件重量
- 0.225789 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。