BZT55C3V0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 4 uA、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 Quadro-Melf-2 封装。
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BZT55C3V0 L0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 4 uA、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 Quadro Mini-Melf-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT55C3V0 L1
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 4 uA、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 Quadro Mini-Melf-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT55C3V0 L1G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT55C3V0-GS08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.015 %/K、稳压管阻抗（Zz） 90 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-80 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT55C3V0-GS18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.015 %/K、稳压管阻抗（Zz） 90 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-80 封装。
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