Taiwan Semiconductor
BZT55C3V0 L0
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 4 uA、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 Quadro Mini-Melf-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Taiwan Semiconductor
- 产品类别
- 二极管
- 产品系列
- BZT55C
- 封装
- Quadro Mini-Melf-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
16 项参数- 稳压电压（Vz）
- 3 V
- 耗散功率（Pd）
- 500 mW
- 电压容差
- 5 %
- 最大反向漏电流（Ir）
- 4 uA
- 稳压管阻抗（Zz）
- 85 Ω
- 工作温度范围
- -65～175 °C
- 配置
- Single
- 测试电流
- 5 mA
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 高度
- 1.6 mm
- 反向电流（Ir）
- 4 uA
- 长度
- 3.7 mm
展开更多参数（4 项）
- 正向电压（Vf）
- 1 V
- 宽度
- 1.8 mm
- 稳压管电流
- 4 uA
- 单件重量
- 0.001023 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。