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BUL416T

STMicroelectronics

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 800 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、最大直流集电极电流 9 A、最大工作温度 + 150 C、最大直流电流增益(hFE) 32,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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