BSM180C12P2E202
ROHM Semiconductor
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 SiC Power Module、产品 Power Semiconductor Modules、正向电压（Vf） 1.6 V at 180 A、栅源电压（Vgs） - 6 V, 22 V、最小工作温度 - 40 C，采用 Module 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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