BFR843EL3E6327XTSA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 230、最大集电极-发射极电压(VCEO) 2.25 V,采用 TSLP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF Bipolar Transistors技术资料参考
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Infineon Technologies
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 230、最大集电极-发射极电压(VCEO) 2.25 V,采用 TSLP-3 封装。
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