APT100GN120J
Microchip / Microsemi
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、25°C 时连续集电极电流 153 A，采用 SOT-227-4 封装。
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APT100GN120J
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Modules、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、25°C 时连续集电极电流 153 A、栅射漏电流 600 nA，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesAPT100GN120JDQ4
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 IGBT Silicon Carbide Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、25°C 时连续集电极电流 153 A，采用 ISOTOP-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesAPT100GN120JDQ4
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 SiC IGBT Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、25°C 时连续集电极电流 153 A，采用 ISOTOP-4 封装。
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