A3G26H501W17SR3
NXP Semiconductors
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2496～2690 MHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 13.7 dB、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 42 mA、输出功率 56 W，采用 NI-780S-4S2S 封装。
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