GTRA362002FC-V1-R0
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37248C-4 封装。
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GTRA362002FC-V1-R2
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 H-37248C-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管GTRA362802FC-V1-R0
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 H-37248C-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管GTRA362802FC-V1-R2
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 H-37248C-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管OPA362AIDCKR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.5～3.3 V、放大器类型 Integrated Filter Amplifier、供电类型 Single、工作电源电流 4.3 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SC70-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Video AmplifiersOPA362AIDCKT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.5～3.3 V、放大器类型 Integrated Filter Amplifier、供电类型 Single、工作电源电流 4.3 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SC70-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Video AmplifiersXC6221A3627R-G
Torex Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.6 V、输出电流 200 mA、输出类型 Fixed、类型 CMOS Voltage Regulator、输出数 1 Output、静态电流 25 uA，采用 USPN-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsXC6221A362MR-G
Torex Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.6 V、输出电流 200 mA、输出类型 Fixed、类型 CMOS Voltage Regulator、输出数 1 Output、静态电流 25 uA，采用 SOT-25-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsXC6371A362PR-G
Torex Semiconductor
该型号为开关稳压器，主要参数包括电源电压（最小值） 900 mV、输出电压 3.6 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 - 30 C to + 80 C、开关频率 180 kHz、类型 PWM Controlled Step Up DC/DC Converter，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage Regulators