A2C35S12M3
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Converter Inverter Brake、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 1.95 V、25°C 时连续集电极电流 35 A，采用 ACEPACK2 封装。
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A2C35S12M3-F
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Converter Inverter Brake、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 1.95 V、25°C 时连续集电极电流 35 A，采用 ACEPACK2 封装。
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