STMicroelectronics
A2C35S12M3
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Converter Inverter Brake、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 1.95 V、25°C 时连续集电极电流 35 A，采用 ACEPACK2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT Modules
- 产品系列
- A2C35S12M3
- 封装
- ACEPACK2
- 安装方式
- 通孔安装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 配置
- Converter Inverter Brake
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1200 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.95 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 35 A
- 栅射漏电流
- 500 nA
- 耗散功率（Pd）
- 250 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 技术
- Si
- 最大栅射电压
- 20 V
- 商品名称
- ACEPACK
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。