AD8004ARZ-14
Analog Devices
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 2 V to +/- 6 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 SOIC-14 封装。
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AD8004ARZ-14-REEL7
Analog Devices
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 2 V to +/- 6 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersAFE8004IABJ
Texas Instruments
主要参数包括频率范围 5 MHz to 7.125 GHz, 100 MHz to 7.125 GHz、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、尺寸 17 mm x 17 mm、湿敏性 是，采用 FCBGA-400 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF TransceiverAFE8004IALK
Texas Instruments
主要参数包括频率范围 5 MHz to 7.125 GHz, 100 MHz to 7.125 GHz、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、尺寸 17 mm x 17 mm、湿敏性 是，采用 FCBGA-400 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF TransceiverCEDM8004 BK
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、型号别名 BK CEDM8004 PBFREE，采用 SOT-883L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCEDM8004 BK PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsCEDM8004 TR
Central Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、型号别名 CEDM8004 PBFREE TR，采用 SOT-883L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCEDM8004 TR PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsCEDM8004VL TR
Central Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 450 mA，采用 SOT-883VL 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCMUDM8004 TR
Central Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 450 mA，采用 SOT-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET