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8 条型号记录

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70T653MS12BC

IDT

主要参数包括存储容量 18 Mbit、电源电压（最大值） 2.6 V、电源电压（最小值） 2.4 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-256 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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70T653MS12BC

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 18 Mbit、电源电压（最大值） 2.6 V、电源电压（最小值） 2.4 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-256 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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70T653MS12BC8

IDT

主要参数包括高度 1.4 mm、长度 17 mm、宽度 17 mm、湿敏性是、型号别名 70T653M IDT70T653MS12BC8，采用 CABGA-256 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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70T653MS12BCGI

IDT

主要参数包括存储容量 18 Mbit、电源电压（最大值） 2.6 V、电源电压（最小值） 2.4 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-256 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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70T653MS12BCGI

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 18 Mbit、电源电压（最大值） 2.6 V、电源电压（最小值） 2.4 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-256 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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70T653MS12BCI

IDT

主要参数包括存储容量 18 Mbit、电源电压（最大值） 2.6 V、电源电压（最小值） 2.4 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-256 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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70T653MS12BCI

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 18 Mbit、电源电压（最大值） 2.6 V、电源电压（最小值） 2.4 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-256 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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70T653MS12BCI8

IDT

主要参数包括高度 1.4 mm、长度 17 mm、宽度 17 mm、湿敏性是、型号别名 70T653M IDT70T653MS12BCI8，采用 CABGA-256 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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