Renesas Electronics
70T653MS12BCGI
主要参数包括存储容量 18 Mbit、电源电压（最大值） 2.6 V、电源电压（最小值） 2.4 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-256 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Renesas Electronics
- 产品类别
- SRAM
- 产品系列
- 70T653M
- 封装
- CABGA-256
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
13 项参数- 存储容量
- 18 Mbit
- 存储组织结构
- 512 k x 36
- 访问时间
- 12 ns
- 接口类型
- Parallel
- 电源电压范围
- 2.4～2.6 V
- 电源电流（最大值）
- 790 mA
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 存储器类型
- SDR
- 湿敏性
- 是
- 类型
- Asynchronous
- 型号别名
- IDT70T653MS12BCGI 70T653M
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.652216 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。