60170
Lantronix
主要参数包括工作频率 13.56 MHz、技术 Si、原产国家或地区 德国、产品 NFC InCar Readers、型号别名 NFC-READER-INCAR，采用 Non-standard 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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CGHV60170D
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 8 个通道、工作频率 6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管CGHV60170D-GP4
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 8 个通道、最大工作频率 6 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管STPS60170CT
STMicroelectronics
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 170 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersV60170G-M3/4W
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 170 V、正向电压（Vf） 870 mV，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersVB60170G-E3/4W
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 170 V、正向电压（Vf） 870 mV，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersVB60170G-E3/8W
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 170 V、正向电压（Vf） 720 mV，采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersVX60170PW-M3/P
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 60 A、重复反向电压（Vrrm） 170 V、正向电压（Vf） 650 mV，采用 TO-247AD 3L 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers