5459
Adafruit
主要参数包括存储容量 144 位、工作频率 13.56 MHz、原产国家或地区 中国，采用 Non-standard 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > NFC/RFID Tags & Transponders搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
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2N5459
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 25 V、栅源电压为零时的漏源电流 16 mA，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2N5459 PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 25 V、栅源电压为零时的漏源电流 16 mA，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETCM8064401545904S R1XV
Intel
主要参数包括商品名称 Xeon、型号别名 935852。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsCYW54591RKUBGT
Infineon Technologies
主要参数包括电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、最大数据速率 867 Mbps、工作频率 2.4 GHz, 5 GHz、技术 Si、类型 Bluetooth, Wi-Fi，采用 WLBGA-194 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > RF System on a Chip - SoCD3C5459
DiTom
主要参数包括频率 5.4～5.9 GHz、类型 Single Junction、隔离度（dB） 23 dB、端口数 3 Port、额定功率 20 W、插入损耗 0.3 dB，采用 0.62 in x 0.5 in x 0.78 in 封装。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF CirculatorsD3C5459-1
DiTom
主要参数包括频率 5.4～5.9 GHz、类型 Single Junction、隔离度（dB） 23 dB、端口数 3 Port、额定功率 20 W、插入损耗 0.3 dB，采用 0.62 in x 0.5 in x 0.78 in 封装。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF CirculatorsD3C5459-2
DiTom
主要参数包括频率 5.4～5.9 GHz、类型 Single Junction、隔离度（dB） 23 dB、端口数 3 Port、额定功率 20 W、插入损耗 0.3 dB，采用 0.62 in x 0.5 in x 0.78 in 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF CirculatorsD3C5459-3
DiTom
主要参数包括频率 5.4～5.9 GHz、类型 Single Junction、隔离度（dB） 23 dB、端口数 3 Port、额定功率 20 W、插入损耗 0.3 dB，采用 0.62 in x 0.5 in x 0.78 in 封装。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF CirculatorsD3C5459-4
DiTom
主要参数包括频率 5.4～5.9 GHz、类型 Single Junction、隔离度（dB） 23 dB、端口数 3 Port、额定功率 20 W、插入损耗 0.3 dB，采用 0.62 in x 0.5 in x 0.78 in 封装。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Circulators