Central Semiconductor
2N5459
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 25 V、栅源电压为零时的漏源电流 16 mA，采用 TO-92-3 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- JFET
- 产品系列
- 2N5459
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 不符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 配置
- Single
- 漏源击穿电压（Vds）
- 25 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 25 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- 16 mA
- 耗散功率（Pd）
- 310 mW
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 正向跨导（最小值）
- 2000 us
- 栅源截止电压
- 8 V
- 最大漏栅电压
- 25 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。