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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

S-19104N45H-M5T1U

ABLIC Inc.

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  • S-19102N45H-M5T1UABLIC Inc.参数相近
原型号

S-19106N45H-M5T1U

ABLIC Inc.

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  • S-19104N45H-M5T1UABLIC Inc.参数相近
原型号

S-19109N45H-M5T1U

ABLIC Inc.

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  • S-19104N45H-M5T1UABLIC Inc.参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

13 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

4N45

Broadcom / Avago

主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V、正向电流（If） 20 mA，采用 PDIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > High Speed Optocouplers
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4N45#060

Broadcom / Avago

主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V、正向电流（If） 20 mA，采用 PDIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > High Speed Optocouplers
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4N45#300

Broadcom / Avago

主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V、正向电流（If） 20 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > High Speed Optocouplers
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4N45#500

Broadcom / Avago

主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V、正向电流（If） 20 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > High Speed Optocouplers
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4N45-000E

Broadcom / Avago

主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.2 V、正向电流（If） 10 mA，采用 PDIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > High Speed Optocouplers
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4N45-060E

Broadcom / Avago

主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.2 V、正向电流（If） 80 mA，采用 PDIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > High Speed Optocouplers
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4N45-300E

Broadcom / Avago

主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.2 V、正向电流（If） 80 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > High Speed Optocouplers
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4N45-500E

Broadcom / Avago

主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.2 V、正向电流（If） 80 mA，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > High Speed Optocouplers
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DI0A4N45SQ2

Diotec Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 450 V、连续漏极电流（Id） 400 mA、漏源导通电阻（Rds On） 4.5 Ω，采用 SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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IXTF1R4N450

IXYS

主要参数包括类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 4500 V、连续漏极电流（Id） 1.4 A、漏源导通电阻（Rds On） 40 Ω、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V，采用 ISOPLUS i4-Pak 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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