IXYS
IXTF1R4N450
主要参数包括类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 4500 V、连续漏极电流（Id） 1.4 A、漏源导通电阻（Rds On） 40 Ω、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V，采用 ISOPLUS i4-Pak 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- ISOPLUS i4-Pak
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 4500 V
- 连续漏极电流（Id）
- 1.4 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 40 Ω
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 190 W
- 配置
- Single
- 产品
- Power MOSFET Modules
- 类型
- High Voltage
- 下降时间
- 170 ns
展开更多参数（3 项）
- 上升时间
- 60 ns
- 典型关断延迟时间
- 126 ns
- 典型导通延迟时间
- 44 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。