3STL2540
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、耗散功率（Pd） 1.2 W、连续集电极电流 - 5 A。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、耗散功率（Pd） 1.2 W、连续集电极电流 - 5 A。
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