STMicroelectronics
3STL2540
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、耗散功率（Pd） 1.2 W、连续集电极电流 - 5 A。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 3STL2540
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
6 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 40 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 6 V
- 耗散功率（Pd）
- 1.2 W
- 技术
- Si
- 连续集电极电流
- - 5 A
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。