2SD1047
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 20 MHz、连续集电极电流 12 A、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 TO-3P-3 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| 2SD1047E | onsemi |
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| 2SD1047P-E | onsemi |
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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