2PS12017E34W32132NOSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、集电极-发射极饱和电压 2.4 V、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 55 C、型号别名 2PS12017E34W32132 SP000550226,采用 A-PS4-1 封装。
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Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、集电极-发射极饱和电压 2.4 V、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 55 C、型号别名 2PS12017E34W32132 SP000550226,采用 A-PS4-1 封装。
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