Infineon Technologies
2PS12017E34W32132NOSA1
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、集电极－发射极饱和电压 2.4 V、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 55 C、型号别名 2PS12017E34W32132 SP000550226，采用 A-PS4-1 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- IGBT Modules
- 封装
- A-PS4-1
- 包装方式
- 托盘
技术参数
5 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 集电极－发射极饱和电压
- 2.4 V
- 工作温度范围
- -25～55 °C
- 技术
- Si
- 型号别名
- 2PS12017E34W32132 SP000550226
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。