2N699
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、型号别名 2N699 PBFREE，采用 TO-39-3 封装。
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2N699 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N699 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N6990
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-116-14 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N6990
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-116-14 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N6990/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-86-14 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJan2N6990
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si，采用 FlatPack-14 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETJan2N6990/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-86-14 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJANS2N6990
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs