2N5952
Central Semiconductor
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、最大漏栅电压 30 V，采用 TO-92-3 封装。
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