2N5459
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 25 V、栅源电压为零时的漏源电流 16 mA，采用 TO-92-3 封装。
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2N5459 PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 25 V、栅源电压为零时的漏源电流 16 mA，采用 TO-92-3 封装。
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