2N5115UB
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 JFET。
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芯片技术资料
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2N5115UB
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs2N5115UB/TR
Microchip Technology
JFETs JFET
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsMQ2N5115UB
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 800 mV、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 6 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 60 mA，采用 UB-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsMQ2N5115UB/TR
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 30 V、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 6 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsMV2N5115UB
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 800 mV、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 6 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 60 mA，采用 UB-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsMV2N5115UB/TR
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 800 mV、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 6 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 60 mA，采用 UB-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsMX2N5115UB
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 800 mV、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 6 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 60 mA，采用 UB-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsMX2N5115UB/TR
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 800 mV、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 6 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 60 mA，采用 UB-4 封装。
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