Microchip Technology
MV2N5115UB/TR
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 800 mV、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 6 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 60 mA，采用 UB-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- JFETs
- 封装
- UB-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- - 800 mV
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 30 V
- 栅源截止电压
- 6 V
- 栅源电压为零时的漏源电流
- - 60 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 100 Ω
- 耗散功率（Pd）
- 500 mW
- 工作温度范围
- -65～200 °C
- 最大漏栅电压
- 30 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。