2N4392
Central Semiconductor
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 40 V、栅源击穿电压（Vgs） 40 V、栅源电压为零时的漏源电流 25～75 mA，采用 TO-18 封装。
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芯片技术资料
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2N4392
InterFET
主要参数包括技术 Si、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 40 V、栅源电压为零时的漏源电流 75 mA，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2N4392
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 JFET。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2N4392
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 400 mV、栅源击穿电压（Vgs） 40 V、栅源截止电压 5 V，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs2N4392 PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 IN、单件重量 0.010582 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs2N4392UB
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 JFET。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2N4392UB
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs2N4392UB/TR
Microchip Technology
JFETs JFET
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsMQ2N4392
Microchip Technology
JFETs JFET
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsMQ2N4392UB
Microchip Technology
JFETs JFET
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